世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片組。新品可配合IR近期發(fā)布的IR2086S全橋總線轉(zhuǎn)換器集成電路，使直流總線轉(zhuǎn)換器達(dá)到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉(zhuǎn)換器解決方案，在比四分之一磚轉(zhuǎn)換器還要小29%的電路板面積上，實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)97%的336W功率。

  全新的IRF6646及IRF6635適用于隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器總線轉(zhuǎn)換器的固定48V及36V到60V輸入橋式電路拓?fù)?、同步降壓非隔離式DC-DC電路拓?fù)洹⑨槍?duì)移動(dòng)通信的18V到36V輸入正激及推挽式轉(zhuǎn)換器，以及調(diào)節(jié)式輸出隔離式DC-DC應(yīng)用中的次級(jí)同步整流。

  業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的300W四分之一磚設(shè)計(jì)往往包含多達(dá)10個(gè)MOSFET（4個(gè)初級(jí)和6個(gè)次級(jí)）、1個(gè)脈寬調(diào)制（PWM）集成電路及2個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器集成電路。IR的新芯片組方案則只有6個(gè)MOSFET（4個(gè)初級(jí)和2個(gè)次級(jí)）及1個(gè)單獨(dú)的集成電路，節(jié)省功率半導(dǎo)體零件數(shù)達(dá)46%。

  此外，以這種芯片組制成的隔離式總線轉(zhuǎn)換器DC-DC能有效節(jié)省多達(dá)29%的占板空間，更可提升工作效率1.5個(gè)百分點(diǎn)。

  IRF6646 80V MOSFET的最大導(dǎo)通電阻為9.5mΩ ，較相同面積的同類器件改善了37%，成為業(yè)界之最，并可針對(duì)初級(jí)橋式電路拓?fù)溥M(jìn)行定制。IRF6635 30V MOSFET的最大導(dǎo)通電阻為1.8mΩ ，是特別為次級(jí)同步整流優(yōu)化的。該器件可在相同面積下實(shí)現(xiàn)最低的導(dǎo)通電阻，超過同類器件22%。

  這組MOSFET可與最新面世的IR2086S全橋直流總線轉(zhuǎn)換器集成電路和現(xiàn)有的IRF6608 30V DirectFET MOSFET結(jié)合起來用作次級(jí)柵鉗位。

  IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富指出，最新的IRF6646和IRF6635可實(shí)現(xiàn)更高的效率，工作時(shí)的外殼溫度比SO-8器件約低40°C 。器件溫度對(duì)整體即時(shí)故障率(FIT)及平均無故障工作時(shí)間(MTBF)都有直接的影響，因?yàn)闇囟仍谟嘘P(guān)計(jì)算中屬于首要參數(shù)。簡(jiǎn)而言之，溫度每降低10°C ，故障率便可降低50%。

  芯片組的基本規(guī)格如下：

使用最新80V與30V DirectFET MOSFET，可得到IR myPOWER網(wǎng)上設(shè)計(jì)中心的支持。IR還提供以下應(yīng)用資料，使用戶加深對(duì)DirectFET封裝技術(shù)的認(rèn)識(shí)：
· AN-1035: DirectFET MOSFET板上安裝指南
· AN-1050: DirectFET MOSFET物料與實(shí)際應(yīng)用
· AN-1059: DirectFET MOSFET熱注塑和特性

  IR的專利DirectFET MOSFET封裝綜合了一系列最新設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)在標(biāo)準(zhǔn)的塑料分立封裝中前所未有。其金屬罐結(jié)構(gòu)可進(jìn)行雙面冷卻，為驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器帶來雙倍的電流處理能力。此外，這些采用DirectFET封裝的器件符合RoHs標(biāo)準(zhǔn)，不含鉛或溴化物。