全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出針對IR2086S DC總線轉(zhuǎn)換器控制IC及DirectFET功率MOSFET芯片組的參考設(shè)計(jì)IRDC2086－330W。

    該款參考設(shè)計(jì)簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48V輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。IRDC2086-330W是一款工作效率高達(dá)97%的48V至9.6V （35A）非穩(wěn)壓DC總線轉(zhuǎn)換器，體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外，IRDC2086-330W將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆IC及14顆場效應(yīng)管減少到一顆IC和8顆場效應(yīng)管。

   新款參考設(shè)計(jì)的芯片組包括IR2086S初級全橋控制IC和8顆功率轉(zhuǎn)換MOSFET，其中4顆IRF6646 80V DirectFET初級MOSFET，4顆IRF6635 30V DirectFET次級同步MOSFET。小型MOSFET（采用SO-8封裝的IRF7830 80V MOSFET）用于偏置開關(guān)和次級箝位（2顆IRF6621 30V小罐式DirectFET MOSFET）。

   IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示：“IR在IR2086S控制IC上使用的高壓IC技術(shù)與一流的DirectFET MOSFET封裝技術(shù)配合，可使溫度比標(biāo)準(zhǔn)方案降低40°C，從而增加系統(tǒng)的可靠性。”

   IR2086S全橋式控制器在高頻率（可高達(dá)500kHz）下工作，可利用一個(gè)集成的軟啟動(dòng)電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%，以限制啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊，并在整個(gè)啟動(dòng)過程保持高側(cè)和低側(cè)MOSFET的脈寬相等。

   新款參考設(shè)計(jì)包括完整的IRDC2086-330W電路板，以及存有用戶指南、數(shù)據(jù)資料、PCB文件（Gerber、 .dxf、.cad）及應(yīng)用說明書等資料的CD光盤。此外，用戶還可以到http://mypower.irf.com登記使用免費(fèi)的myPOWER網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)工具，選擇更適合需要的MOSFET。 ![]