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英銳恩推出8位低功耗8051單片機EN8F5113

更新時間: 2020-06-15
閱讀量:10072

單片機新品速遞!英銳恩推出高性價比的基于8051內(nèi)核的低功耗增強型8位單片機EN8F5113,該MCU帶有12位ADC、PWM、SPI、I2C、EUART,內(nèi)置內(nèi)置EEPROM和Flash。

一、單片機介紹

EN8F5113單片機是通用型1T 8051 Core單片機(MCU)。在同樣的系統(tǒng)時鐘下,比傳統(tǒng)的8051運行更快速,性能更優(yōu)越,指令代碼完全兼容傳統(tǒng)8051。

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EN8F5113保留了標準8051的主要特性,包括256字節(jié)RAM和2個16位定時器。芯片還集成了1K字節(jié)外部擴展RAM,可靈活配置的EEPROM、RTC和8K Flash,并且可實現(xiàn)在應(yīng)用中編程(IAP)功能。此外,集成了10路12位帶數(shù)字比較功能的ADC,兩個自帶波特率發(fā)生器的串口,1路8Mbit/s主從可配的SPI接口,6路16位分辨率的PWM等其他豐富的外設(shè)資源。

由于EN8F5113單片機內(nèi)部集成了RC振蕩器(IHRC)、看門狗定時器、上電復(fù)位和低電壓復(fù)位等功能,從而省掉了外部晶振以及復(fù)位等外圍電路,同時支持多種低功耗工作模式;

總的來說,EN8F5113是一顆高性能、低成本、高可靠性的8位MCU。具有合理的資源配置、極佳的低功耗與超強抗干擾性能,BOM精簡,納安級別的待機功耗。

二、EN8F5113單片機部分詳細參數(shù)

ROM:8K字節(jié)FLASH;
RAM:Idata 256字節(jié),Xdata 1024字節(jié);
EEPROM:128字節(jié);
12bit ADC;
支持ISP、IAP;
低功耗RTC;
增強型PWM輸出;
兩個增強型串口:EUART0 / EUART1;
超寬工作電壓:1.8~5.5V;
序列號:支持96bit唯一序列號;

時鐘源:
(1)內(nèi)部高頻 RC振蕩器(IHRC):16MHz(1.8V~5.5V: ±1% @ -25℃~85℃;±2% @ -45℃~125℃);
(2)外部時鐘輸入:2~16MHz;
(3)晶體諧振器:(LOSC)32768Hz、(HOSC)2-16MHz;
(4)多種可配置時鐘輸出(與BEEP IO復(fù)用);
(5)I/O口:17 個雙向CMOS I/O管腳;
(6)定時器:2個16位定時器T0/T1;
(7)1路主從可配置的SPI,接口時鐘速度為 8M(fsys/2);
(8)1 路主從可配置的I2C接口。

中斷源:
(1)定時器 T0/T1;
(2)RTC定時中斷;
(3)EUART0/EUART1;
(3)ADC;
(4)可配置比較器中斷;
(5)LVD;
(6)PWM周期中斷;
(7)SPI 中斷;
(7)I2C 中斷;
(8)17個IO中斷;
(9)10個 IO,支持Deep Sleep Mode 下外部喚醒(與 GPIO 復(fù)用)。

復(fù)位源:
(1)POR(上電復(fù)位);
(2)LVD(掉電復(fù)位);
(3)看門狗復(fù)位;
(4)PIN Reset。

省電模式:
(1)Active Mode:<250μA/MIPS;
(2)Sleep Mode:TYP<5μA;MAX<10uA;
(3)Deep Sleep Mode:TYP <20nA;MAX<500nA;
(4)內(nèi)建低電壓檢測模塊(16 step可調(diào))。

三、封裝方式

EN8F5113單片機的封裝方式包括:QFN、DFN、SOP、TSSOP,最大支持20 Pin封裝,詳細封裝腳位請參考下圖:

20200615.png

202006152.png

20200615180119.png

以上就是英銳恩單片機開發(fā)工程師分享的8位低功耗8051單片機EN8F5113。英銳恩專注單片機應(yīng)用方案設(shè)計與開發(fā),提供8位單片機、16位單片機、32位單片機、運放芯片和模擬開關(guān)。

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