深圳單片機開發(fā)方案公司英銳恩為你帶來晶圓代工廠的資訊。電子產(chǎn)品開發(fā)越來越微型化與晶圓代工廠們工藝的不斷升級息息相關(guān)。晶元代工廠臺積電前不久試產(chǎn)了7nm EUV工藝，采用ASML的新式光刻機Twinscan NXE，完成了客戶芯片的流片工作，同時宣布5nm工藝將在2019年4月開始試產(chǎn)，量產(chǎn)則有望在2020年第二季度。

為什么說晶圓加工工藝的升級與電子產(chǎn)品產(chǎn)品開發(fā)微型化息息相關(guān)呢？因為晶元代工廠臺積電推出的7nm、5nm晶圓加工工藝意味著在同樣的材料中可以制造更多的電子元件，連接線也越細，精細度就越高，CPU的功耗也就越小。晶元代工廠臺積電在7nm EUV工藝上成功完成流片，證明了新工藝新技術(shù)的可靠和成熟，為后續(xù)量產(chǎn)打下了堅實基礎(chǔ)。相比臺積電第一代7nm深紫外光刻(DUV)技術(shù)，臺積電宣稱可將晶體管密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。



而7nm之后，臺積電下一站將是5nm(CLN5FF/N5)，將在多達14個層上應(yīng)用EUV，號稱其可比初代7nm工藝的晶體管密度提升80%，芯片面積縮小45%，頻率提升15%，功耗降低20%。



而三星也宣布開始進行7nm LPP（Low Power Plus）工藝芯片的量產(chǎn)工作。三星的7nm LPP采用ASML的EUV光刻機，型號為雙工件臺NXE:3400B（光源功率280W），日產(chǎn)能1500片。



在技術(shù)指標上，對比10nm FinFET，三星7nm LPP可實現(xiàn)面積能效提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。目前已知，高通新一代的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝。

這些代工巨頭們在先進制程持續(xù)競賽，意味著EUV工藝就要正式產(chǎn)業(yè)化，這為打拼20多年的ASML帶來了全新的曙光，迎來了開掛態(tài)勢。



深圳單片機開發(fā)方案公司英銳恩引用一段專家分析，來更客觀地看待ASML的光刻設(shè)備。EUV光刻工藝今年正式量產(chǎn)只是一個開始，因為沉浸式光刻機的產(chǎn)能可達250 WPH，可以250W的光源長時間穩(wěn)定運行，因此，EUV光刻155 WPH的產(chǎn)能雖然可喜可賀，但還需要持續(xù)精進。